MOCVD法によるパラジウム複合膜形成過程の解析

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概要

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酢酸パラジウムを原料として，MOCVD法を用いて先端封じの多孔質α-アルミナ支持管上にパラジウム薄層が形成される過程を明らかにするとともに，試作CVD装置における製膜条件の最適化を行った．その結果，製膜時には昇華部温度を200°C，分解析出温度を220°C，製膜器内圧力を170 Paに維持することが欠陥の少ないパラジウム複合膜を作成する上で必要であることがわかった．多孔質管上へのパラジウム析出による緻密化は，製膜部の付け根から先端にかけて進行していくことがCFD計算，膜の電気抵抗測定，空気リークテスト測定などにより明らかとなった．今回の最適操作条件において作成した膜の性能は，300°Cにおいて水素透過係数が4.42×10−9 mol·m−1·s1·Pa−0.5, H2/N2理想分離係数が11500と高い値を示した．
社団法人　化学工学会の論文
2007-05-20

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