高破壊耐量2.5kVパワーパックIGBTチップデザインコンセプト
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1999-10-21
著者
-
関 康和
富士電機システムズ（株）
-
古閑 丈晴
(株)富士電機総合研究所
-
吉川 功
(株)富士電機総合研究所
-
藤井 岳志
(株)富士電機総合研究所
-
高橋 良和
富士電機株式会社
-
吉川 功
富士電機総合研究所
-
古閑 丈晴
富士電機総合研究所
-
藤井 岳志
富士電機総合研究所
-
加藤 勉
富士電機総合研究所
-
関 康和
富士電機
-
高橋 良和
富士電機 松本工場 パワー半導体部
-
高橋 良和
富士電機
関連論文
- Micro-P構造適用による600V IGBTの高性能化
- リードフレーム構造を備えた薄ウェハIGBTの特性改善
- 1200V系トレンチゲート型フィールドストップIGBTの短絡特性の解析
- Micro-P 構造適用による600V IGBTの高性能化
- 4.5kV平型IGBTのRBSOAに関する研究
- 高破壊耐量2.5kVパワーパックIGBTチップデザインコンセプト
- SW電源用IGBT (′94スイッチング電源--高調波規制対策と電源回路の新技術) -- (電源用部品の新技術)
- 外部キャパシタンスによるIGBTのターンオン特性改善
- 微細低注入構造ダイオードの電気的特性
- エコノダイオードモジュールの開発
- SiCパワーデバイスの展開
- 高性能パワー半導体デバイスの現状 : 材料・プロセス高性能化への期待
- 4.5kV高耐圧平型IGBT (パワー半導体特集)
- 高耐圧IGBTとその応用 (特集 高耐圧パワ-デバイス・モジュ-ルの新展開)
- マルチレベル電力変換器用1700V逆阻止IGBT
- マルチレベル電力変換器用1700V逆阻止IGBT
- シリコンパワーデバイスの技術動向と展望
- パワーモジュールのパッケージ技術動向