高性能パワー半導体デバイスの現状 : 材料・プロセス高性能化への期待
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
パワー半導体デバイスの現状を、MOSゲートデバイスを中心に解読した。パワーMOSFETやIGBTの台頭がパワー半導体デバイスの歴史を大きく変えようとしており、今まさに変革期である。IGBTが何故大きな進展を遂げたか、その理由について述べた。高耐圧化に伴いエピタキシャルウエハの問題点やパワー半導体デバイスの独特のプロセスなどについて概説した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-08-23
著者
関連論文
- リードフレーム構造を備えた薄ウェハIGBTの特性改善
- 1200V系トレンチゲート型フィールドストップIGBTの短絡特性の解析
- 高破壊耐量2.5kVパワーパックIGBTチップデザインコンセプト
- SW電源用IGBT (′94スイッチング電源--高調波規制対策と電源回路の新技術) -- (電源用部品の新技術)
- 外部キャパシタンスによるIGBTのターンオン特性改善
- 微細低注入構造ダイオードの電気的特性
- SiCパワーデバイスの展開
- 高性能パワー半導体デバイスの現状 : 材料・プロセス高性能化への期待
- 高耐圧IGBTとその応用 (特集 高耐圧パワ-デバイス・モジュ-ルの新展開)