Micro-P構造適用による600V IGBTの高性能化

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概要

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• This paper describes the next generation 600V trench-gate IGBT utilizing the Micro-P structure to realize low noise and low power dissipation. We have achieved “better turn-on di/dt controllability”, “oscillation free turn-off” and “improved Von-Eoff trade-off relationship” in the 600V IGBTs. In a typical inverter operation, the new chip has realized 10% lower power dissipation and the temperature difference between junction and case (dTj-c) can be reduced by 2.5deg. C.

著者

• 仲野 逸人

  富士電機システムズ（株）

• 小野澤 勇一

  富士電機システムズ（株）

• 河野 涼一

  富士電機システムズ（株）

• 山崎 智幸

  富士電機システムズ（株）

• 関 康和

  富士電機システムズ（株）

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