パワーモジュールのパッケージ技術動向

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2013-08-01

著者

• 高橋 良和

  富士電機株式会社

• 池田 良成

  富士電機株式会社

• 池田 良成

  富士電機株式会社技術開発本部電子デバイス研究所次世代モジュール開発センターパッケージ開発部

• 両角 朗

  富士電機株式会社技術開発本部電子デバイス研究所次世代モジュール開発センターパッケージ開発部

• 西村 芳孝

  富士電機株式会社技術開発本部電子デバイス研究所次世代モジュール開発センターパッケージ開発部

関連論文

• 4.5kV平型IGBTのRBSOAに関する研究
• 高破壊耐量2.5kVパワーパックIGBTチップデザインコンセプト
• 高集積密度実装を志向したSiCモジュールの開発
• 高集積密度実装を志向したSiCモジュールの開発
• 高温・高周波駆動を実現するパッケージ技術を適用した All-SiC モジュールの開発
• 高温・高周波駆動を実現するパッケージ技術を適用した All-SiC モジュールの開発
• シリコンパワーデバイスの技術動向と展望
• パワーモジュールのパッケージ技術動向

スポンサーリンク