DOG関数特性を有する電荷蓄積型光センサの開発
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概要
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The remarkable negative photo-induced current and negative differential characteristics according to the forward bias voltage have been observed successfully for GaAs/GaAlAs multi-quantum well structures with a storage layer of InAs/GaAs short period superlattice. The characteristics are dependent on the crystal quality of the storage layer and extremely enhanced by using the InAs/GaAs short period superlattice compared with InxGa1-xAs alloys.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2006-07-01
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