堆積金属酸化法によるHfO_2/Si構造の作成とその高分解能RBS評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
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概要
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high-K/Si構造の作成法として堆積金属酸化法を提案する。Si基板上に超高真空スパッタ法により金属膜を堆積した後、その金属膜の酸化処理を行うことにより、界面低誘電率層形成の抑制が期待できる。実際、本手法を用いてHfO_2/Si構造を作成した際に形成される界面SiO_2層の膜厚は約0.2〜0.3nm程度と見積もられた。さらに高分解能RBSを用いて界面の評価を行ったところ、酸化処理温度が300℃程度まではHf/Si間の相互拡散は確認されない。これらの結果は、本手法が今後のEOT低減の要請を満たすひとつの候補となりうることを示唆するものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-02
著者
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上野 智雄
東京農工大学工学部
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上野 智雄
東京農工大学大学院工学府電気電子工学専攻
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長里 喜隆
東京農工大学工学部
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小林 晃子
東京農工大学工学部
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入野 真
東京農工大学工学部
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小林 晃子
東京農工大学工学部:(現)(株)東芝セミコンダクター社
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小林 晃子
東京農工大学 工学部
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長里 喜隆
東京農工大学 工学部
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入野 真
東京農工大学 工学部
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