高誘電率ゲート絶縁膜における電子ストレスのRigged QED (Quantum Electrodynamics)理論に基づく第一原理計算 : 核-電子-電磁場複合ダイナミクスの第一原理計算プログラム開発(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
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概要
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高誘電率ゲート絶縁膜における電子ストレスのRigged QED (Quantum Electrodynamics)理論に基づく第一原理計算と量子エネルギー密度の可視化の研究開発の現状を紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-02
著者
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立花 明知
京都大学大学院工学研究科機械物理工学専攻
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立花 明知
京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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立花 明知
京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻ナノサイエンス講座量子物性学分野
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