プラズマCVDによるa-SiN:H堆積におけるラジカルの実効付着係数の測定
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概要
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The reaction coefficients of radicals on the growing surface of hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiN:H) were studied by applying Monte Carlo simulation. These a-SiN:H films were deposited on trench-patterned silicon wafers using two kinds of gas mixture, SiH4-NH3 and SiH4-N2, and then measured for their film thickness profiles and composition on the trench wall. The derived total loss probability (β) of radicals was estimated from comparison between the experimental results and the simulation. On the basis of these results, the main radicals during depositions will be discussed.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2005-06-01
著者
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