プラズマCVD中の入射イオンエネルギーのa-Si系膜に与える影響
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1995-08-25
著者
関連論文
- プラズマCVD法によるa-SiGe膜の物性と製膜時のプラズマ特性
- CVDを理解するための基礎用語
- 29a-T-4 酸素陽光柱のプラズマパラメータの測定
- 4a-NN-3 同軸円筒拡散プラズマ中の電子・準安定原子及び電子温度分布
- 2a-T-8 パルスアフターグローの研究
- 30p-T-1 Ne-Ar混合ガス陽光柱における準安定性原子密度の測定
- 3p-N-8 空間再結合を考慮した矩形陽光柱の解析
- 3p-N-7 Ar陽光柱における準安定原子密度の測定
- 3a KJ-10 中気圧希ガス放電における陽光性の収縮
- 3a-CG-8 再結合を考慮した陽光柱電子温度の近似解
- 10a-U-7 同軸円筒型拡散プラズマの密度分布
- 10a-U-2 準安定原子同士の電離衝突に関する考察
- プラズマ CVD 準絶縁性アモルファスシリコン窒化膜の組成制御技術
- 26a-L-8 シラン電子衝突による中性ラジカル生成機構
- 電子ビーム励起プラズマによる微結晶シリコンの製膜
- 大気圧酸素陽光柱プラズマの解析
- シリコントレンチエッチングにおけるシースの役割
- プラズマCVDによるa-SiN:H堆積におけるラジカルの実効付着係数の測定
- プラズマCVDによるa-SiGe:H薄膜堆積に関する巨視的解析
- ベニング効果
- タウンゼントの条件式
- フレキシブルアモルファス太陽電池
- フレキシブルアモルファス太陽電池
- フレキシブルアモルファス太陽電池
- フレキシブル太陽電池モジュールの建材への応用
- スパッタリングプラズマ中の正イオンのITO膜に与える影響
- フレキシブルアモルファスシリコン太陽電池の開発
- プラズマCVD中の入射イオンエネルギーのa-Si系膜に与える影響
- 電力用アモルファスシリコン太陽電池 (光技術)
- 高電圧パルス放電化学気相成長法によるアモルファスシリコン系薄膜の作製
- 高効率・大面積アモルファスシリコン太陽電池 (太陽光発電システム)
- 27p-H-8 ECRプラズマの特性と薄膜形成
- レ-ザ-CVD法によるラジカル輸送過程とa-SiGe膜形成
- 富士電機アドバンストテクノロジー株式会社
- トレンチ形成におけるエッチング特性とプラズマ物性の関係 (特集 半導体)
- 2p-TB-11 交差ビーム衝突データのディコンボリューション
- 高効率・大面積アモルファスシリコン太陽電池 (太陽光発電システム)
- 28p-A-6 反応性ガスのアフターグロープラズマの研究(I)(28pA 放電)