Complete Scaling Analysis of the Metal-Insulator Transition in Ge:Ga : Effects of Doping-Compensation and Magnetic Field
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概要
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- 2004-01-15
著者
-
渡辺 雅之
京大院人間・環境
-
OHTSUKI Tomi
Department of Physics,Sophia University
-
ITOH Kohei
Department of Applied Physics and Physico-Informatics, Keio University
-
Haller E
Uc Berkeley And Lawrence Berkeley National Laboratory
-
Ohtsuki T
Sophia Univ. Tokyo
-
Itoh K
Department Of Applied Physics And Physico-informatics Keio University
-
Itoh Kohei
Department Of Applied Physics And Physico-informatics And Crest-jst Keio University
-
Ootuka Youiti
Tsukuba Research Center For Interdisciplinary Materials Science And Institute Of Physics University
-
Watanabe M
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo:(present)institute Of Materials Structure Scie
-
WATANABE Michio
Macroscopic Quantum Coherence Laboratory, FRS, RIKEN
-
HALLER Eugene
UC Berkeley and Lawrence Berkeley National Laboratory
-
Ohtsuki T
Yokohama City Univ. Yokohama
-
Ohtsuki T
Department Of Physics Sophia University
-
Ohtsuki Tomi
Department Of Physics Faculty Of Science University Of Tokyo
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