UHV測定技術国際ワークショップ参加報告
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1993-02-20
著者
関連論文
- CSLゲージとAEゲージの特長を組み合わせることの可能性
- 24a-PS-28 LEED I-V曲線によるアルカリ吸着Si(001)面の研究III
- 24a-PS-27 K/Si(100)酸化過程におけるエキゾエミション
- 6a-B4-1 LEEDI-V曲線によるFe/Si(111)の構造解析II
- 2p-Q-1 Si清浄表面への金属の極薄蒸着とそのAES,LEEDなどによる観測
- Si単結晶基板上へのFe膜成長のAES-LEEDによる観察
- 31p KA-11 Si清浄表面への金属(Feなど)の極薄蒸着とそのAES, LEEDなどによる観測
- Growth Mode of Iron Film Deposited on MgO(001) Surface
- Electrodes and Circuits of a LEED-AES System
- LEEDによる鉄蒸着膜の研究(II) : 薄膜
- 真空むかし話の会
- 日本真空協会関西支部50年のあゆみ : 一人の老研究者の関西支部にかかわる幾つかの思い出
- 電子励起型真空計
- 6p-W-4 MgO (001)上における鉄エピタキシャル膜の成長モード
- 極高真空領域における三格子MBAGの特異な変調特性とコンピュータシミュレーションによる解析
- 3格子変調B-Aゲージの正弦波連続変調
- ターボ分子ポンプと油拡散ポンプを直列接続した排気系の特性
- Si (111) 面上でのFe単原子膜のアニーリングによる構造変化
- 30p-D-5 Si(111)面上のFe蒸着膜の角度分解光電子分光
- UHV測定技術国際ワークショップ参加報告
- 蒸着薄膜形成の初期過程
- 分子線エピタキシャル膜のLEED-AESによる評価
- 変調型B-Aゲージによる極高真空の測定
- LEED-AESによる鉄蒸着膜の研究
- オージェおよびイオン化ロスピークを利用した蒸着膜成長モードの決定
- アブストラクト
- アブストラクト
- 三格子変調型B-Aゲージ
- 31a-L-2 MgO(001)面のLEED強度測定と回折強度計算
- CONSTRUCTION OF ANGLE RESOLVED ULTRAVIOLENT PHOTOELECTRON SPECTROMETER AND ITS APPLICATION TO THE ANALYSIS OF Si(lll) SURFACE
- 三格子変調B-Aゲージの極高真空領域における異常動作 (I) -実験的研究-
- 直列静電レンズ型真空計についてのコンピューターシミュレーション
- 直列静電レンズ型真空計の原理と予備的考察
- 極高真空における全圧測定
- 低速電子線の動力学的回折強度計算と鉄蒸着膜への応用
- 三格子変調B-Aゲージの静特性
- 直列静電レンズ型真空計に関する予備実験結果の考察 (1)
- 三格子変調B-AゲージのCモード動作
- LEED-AESによるMgO (001) 面上での鉄蒸着膜の成長機構の観察
- ペニング電子分光による固体表面研究のための予備実験(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 計算機シミュレーションによる実用的極高真空計の検討
- 計算機シミュレーションによる実用的極高真空計の検討
- ペニング電子分光による固体表面研究のための予備実験-2- (第27回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和61年11月12日〜14日,大阪)
- 準安定励起原子線源の改良とSi(111)面の脱励起スペクトル (第29回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- ARUPS装置の改良と金属蒸着膜研究への応用(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- On a Method for Measuring Pulsed X-ray with Low Intensity