ArFエキシマレーザーアブレーション閾値近傍での多重照射によるSi_3N_4膜表面層の突起物出現とシリコン析出
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概要
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- 1995-01-01
著者
-
佐々木 亘
宮崎大工
-
仲前 一男
大阪府立大学
-
瀧川 靖雄
大阪電気通信大学
-
瀧川 靖雄
大阪電通大
-
黒澤 宏
宮崎大学地域共同研究センター
-
仲前 一男
住友電気工業株式会社播磨研究所
-
瀧川 靖雄
大阪電気通信大学工学部電子工学科
-
黒澤 宏
宮崎大・工
-
佐々木 亘
宮崎大・工
-
高橋 康夫
大阪電通大
-
山中 龍彦
大阪大レーザー研
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