水冷式MBEによるAlGaAs多層膜の形成(平成9年度第3回)関西支部研究例会の講演要旨
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1998-01-20
著者
-
須崎 渉
大阪電気通信大学工学研究科
-
須崎 渉
大阪電気通信大学大学院工学研究科
-
林 智規
大阪電気通信大学
-
徳田 悟
大阪電気通信大学
-
末金 皇
大阪電気通信大学
-
森口 安規
大阪電気通信大学
-
末金 皇
大阪大学産業科学研究所
-
須崎 渉
大阪電気通信大学
関連論文
- 1.3μmおよび1.5μm-InGaAsPレーザダイオードの再結合係数の測定
- C-4-21 注入キャリヤによる量子井戸の変形に関するシミュレーション(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-22 バンドオフセットの異なる量子井戸レーザのキャリヤ寿命時間の温度特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-23 InGaP量子井戸レーザを用いたフォトリフレクタンス法によるInGaAs量子井戸の評価(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 量子井戸レーザにおけるバンドオフセットのキャリヤ再結合寿命に与える影響
- 量子井戸レーザにおけるバンドオフセットのキャリヤ再結合寿命に与える影響(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- 量子井戸レーザにおけるバンドオフセットのキャリヤ再結合寿命に与える影響(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,および一般)
- 半導体レーザーの基礎 III
- 半導体レーザーの基礎II
- 半導体レーザーの基礎 I
- 水冷式分子線成長法によるAlGaAs多層膜の形成
- 水冷式MBEによるAlGaAs多層膜の形成(平成9年度第3回)関西支部研究例会の講演要旨
- GaAs(001)基板上に成長したInAsドット構造のアニール効果
- 量子井戸レーザにおけるバンドオフセットのキャリヤ再結合寿命に与える影響(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- サマリー・アブストラクト