1.3μmおよび1.5μm-InGaAsPレーザダイオードの再結合係数の測定
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概要
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室温でリーク電流が無視できるp型基板を用いたInGaAsPレーザダイオードの発光再結合係数とオージェ再結合係数を, レーザダイオードへの印加パルス電流に対するレーザ発振の遅れ時間から検討した. 発振遅れ時間の実験値と, 印加パルス電流の形状を考慮したレート方程式を数値的に解くことにより得られた計算値とを一致させた. 実験に使用した1.3μm-PBCおよび1.5μm-PPIBH-InGaAsPレーザダイオードのしきいキャリヤ密度n_tは, (2.8-3)×10^<18>/cm^3である. これらのレーザダイオードの発光再結合係数Bおよびオージェ再結合係数Aの値は, それぞれ(1-1.5)×10^<-10>cm^3/s, <0.05×10<-28>cm6/sとなり, オージェ再結合An_t^3は発光再結合Bn_t^2に比べて無視できるほど小さいことがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-25
著者
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