シンクロトロン放射光誘起反応を用いたテフロンの微細加工及び薄膜形成
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1996-11-20
著者
関連論文
- 1p-D-8 半導体成長への応用 : (1)内殻電子励起によるGaAsの構造変化 : (2)X線波動場による薄膜成長制御
- 放射光アブレーションによるフラーレン薄膜の作製
- 放射光アデレーションによるポリパラフェニレン薄膜の作製
- 小型SR光ビームラインを用いた高アスペクト比マイクロマシン製作の検討
- 微細転写成形技術の開発 (プラスチック機械特集)
- 放射光ドライエッチングによるテフロンのマイクロ加工(放射光による応用加工技術の現状と将来)
- 放射光による物作り-ミクロンからナノへ-
- TIEGA技術を用いた三次元微細加工
- 放射光による微細加工技術(TIEGA) (精密技術小特集)
- 放射光エッチングによる高アスペクト比微細加工 : TIEGA
- シンクロトロン放射光によるテフロンの高アスペクト比微細加工--TIEGA
- SR光反応加工(EUV基盤技術とその応用の現状)
- 放射光励起によるテフロンの微細加工と薄膜形成
- 利用実験:放射光によるGaAsの内殻電子励起効果
- シンクロトロン放射光誘起反応を用いたテフロンの微細加工及び薄膜形成
- 放射光直接照射による高品質有機薄膜の作製(放射光による応用加工技術の現状と将来)