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Yamanashi Univ. Kofu Jpn | 論文
- 23aYF-10 二層カーボンナノチューブ束の通電破損のTEM中その場観察(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 太いCNT上に成長させた細いCNTとその電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 30aTE-3 カーボンナノチューブ表面上での電流誘起された金属移動のTEMその場観察(30aTE ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aPS-34 In/Si(113)の表面再配列構造の研究II(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pUF-14 Nd;YAGレーザ照射による多層CNT五員環上の吸着分子の脱離(27pUF ナノチューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aPS-37 Ag/Si(111)√×√表面の低温構造の解析IV(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Induction of Membrane-Bound Xylosidase in a Streptomyces sp.
- 25pWS-5 SiC(0001)基板上に生成したグラフェン膜のX線ラウエ関数による層数決定(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aRA-5 単層カーボンナノチューブバンドルの超高速励起子エネルギー移動(24aRA ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 酸素中噴霧水微粒子のバリア放電による有機汚染物質の分解
- パルスガス放電による水中有機染料の脱色
- LPE Growth of InGa_xP_As_on GaAs Substrate by Two-Phase Melt Method.
- Bandgap Energy of InGaAsP Quaternary Alloy
- Dislocation Propagation into MBE Grown GaAs Layers under the Condition of Misfit Dislocation Generation
- Misfit Dislocation Generation for MBE Grown GaAs on In-Doped LEC-GaAs Substrates
- Origin of Surface Defects on Molecular Beam Epitaxially Grown GaAs
- Electrical Properties of Oval Defects in GaAs Grown by MBE
- Low-Frequency Waves in SF_6 Positive Columns Diluted with N_2 Gas
- Attachment-Enhanced Instability in CF_4 Positive Columns
- Forward Waves Excited by Pulsed Electron Beam Injection into Low-Pressure N_2 Gas
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