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Univ. Tokyo Tokyo | 論文
- Effects of High Pressure and High-Magnetic Field on the Energy Gap in a Kondo Semiconductor YbB_
- Metamagnetism in TbNi_2Si_2 Single Crystal
- Ge濃度を制御したSi_Ge_xの格子定数測定
- 収束電子回折法によるSiの電子密度分布解析
- 24pYK-10 収束電子回折法によるBaTiO_3強誘電相の静電ポテンシャル分布解析(24pYK 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Local lattice parameter determination of a silicon (001) layer grown on a sapphire (1102) substrate using convergent-beam electron diffraction
- 21aYM-13 収束電子回折法によるLa_Sr_Mn_2O_7(x=0.525)の結晶構造の研究(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 収束電子回折法によるLaCrO_3の結晶構造・電子密度分布解析
- Lattice parameter determination of a composition controlled Si_Ge_x layer on a Si (001) substrate using convergent-beam electron diffraction
- 13pTJ-7 収束電子回折法による La_Sr_xCrO_3 (x=0.3) の電子密度分布の解析 II(電子線, 領域 10)
- Formation of a Superlattice Order from a Fundamental-Lattice Decagonal Quasicrystal of Al_Ni_Co_8(Condensed Matter : Structure, Mechanical and Thermal Properties)
- 29pXK-8 チタン酸バリウムの180°分域のコントラストI(誘電体)(領域10)
- 28aXM-8 収束電子回折法による局所歪み測定法の研究IV(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 28aXM-7 収束電子回折法によるLa_Sr_xCrO_3の電子密度分布の解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 22aXB-5 収束電子回折法による局所歪み測定法の研究 III
- 22aXB-2 収束電子回折法による結晶構造精密化における構造パラメーターの誤差評価
- 22aXB-1 収束電子回折法による LaMnO_3 軌道秩序相の電子密度分布解析 III
- 26aZE-6 ユニタリティ極限のフェルミオン凝縮体 : 粒子数インバランスとトラップ形状の効果(量子エレクトロニクス(Fermi粒子系,及びBose-Fermi混合系の理論),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 29. マイクロCTを用いた微小陸貝の内部構造の非破壊的観察(日本貝類学会平成19年度大会(豊橋)研究発表要旨)
- Mossbauer Spectroscopy of La_Ca_FePO and LaFeAsO_F_ under External Magnetic Field and Nuclear Resonant Inelastic Scattering of La_Ca_FePO(Condensed matter: electronic structure and electrical, magnetic, and optical prop
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