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Toyota Central Res. And Dev. Lab. Inc. Aichi Jpn | 論文
- 21pGL-7 結晶のキラリティ選択(21pGL 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pGL-8 微細構造基板上へのヘテロ吸着3,ポスト基板上での濡れ(21pGL 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pYG-9 微細構造基板上へのヘテロ吸着2 : ポスト基板(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28pYG-8 微細構造基板上へのヘテロ吸着 : 1.並行溝基板(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- Low-temperature crystallization of thin silicate layer on crystalline Fe dust
- Morphological Alteration and Structure of ZnO Particles Produced in Electric Field(Condensed matter: electronic structure and electrical, magnetic, and optical properties)
- 結晶成長の物理II : 理想成長からのずれ : 界面張力の効果
- 結晶成長の物理III : 熱伝導に支配された樹枝状結晶成長
- キラリティ選別のモデル : 有機分子を中心として(結晶成長とキラリティ)
- 24aWX-7 結晶成長におけるキラル対称性の破れ : ARSモデル(24aWX 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pWS-5 SiC(0001)基板上に生成したグラフェン膜のX線ラウエ関数による層数決定(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aRA-5 単層カーボンナノチューブバンドルの超高速励起子エネルギー移動(24aRA ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
- Breakdown Characteristics of SF_6 Gap Disturbed by a Metallic Protrusion under Oscillating Transient Overvoltages
- V-t Characteristics of SF6 Gap Disturbed by a Needle-Shaped Protrusion under Oscillating Transient Overvoltages
- 20pXA-10 ヘテロエピタキシャル系における吸着物結晶の成長様式(II)(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 結晶成長の物理 IV : 溶液からの結晶成長
- ニューダイヤモンド,ニューカーボンと電子放出の将来
- Preparation of Superconducting Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O Glass Ceramics with T_=106 K
- Effect of Annealing on Superconductivity in Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O System
- Surface Modification of Niobium (Nb) by Atomic Force Microscope (AFM) Nano-Oxidation Process
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