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The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology | 論文
- 26aXG-4 シリコン結合量子ドットの電子輸送特性評価(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- Observation and Analysis of Tunneling Properties of Single Spherical Nanocrystalline Silicon Quantum Dot (Special Issue: Solid State Devices & Materials)
- Room temperature negative differential conductance due to resonant tunneling through a single nanocrystalline-Si quantum dot
- HfO_2薄膜成長過程の分光エリプソメトリによるその場観察と第一原理計算との比較(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 21世紀の単電子デバイス
- 電子材料-ナノシリコンとネオシリコン
- ULSI技術は電気化学の時代
- Single Electron Memory Devices Based on Plasma-Derived Silicon Nanocrystals
- Electron Transport in Nanocrystalline Si Based Single Electron Transistors
- Single-Electron Tunneling Devices Based on Silicon Quantum Dots Fabricated by Plasma Process
- ナノクリスタルシリコンによる単電子デバイス
- Electric Field-Effect Enhancement by a Combination of Coplanar High-Tc Superconducting Devices with Step-Edge Junctions
- Atomic Layer-by-Layer Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of SrTiO_3 Films with a Very Smooth Surface
- Electric Properties of Coplanar High-T_c Superconducting Field-Effect Devices
- 単電子デバイス・回路の研究状況と今後の展望
- MOCVD法による酸化物超伝導薄膜のエピタキシャル成長(酸化物のエピタキシー)
- 酸化物超伝導体の原子層MOCVD法における光学的その場成長モニタ- (原子レベルでの結晶成長機構) -- (成長表面と界面構造)
- 27pC2 水素プラズマ処理による微結晶シリコンの核形成と成長(気相成長III)
- CVDによる酸化物超伝導体のlayer by layer成長とin situ光学モニタ-
- マイクロエレクトロニクス学生実験 (基礎研究特集号) -- (基礎研究と大学教育)