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Sony Corp. Atsugi Jpn | 論文
- 22pVE-4 収束電子回折法による静電ポテンシャル分布解析 : BaTiO_3とPbTiO_3の比較(22pVE 誘電体(ペロフスカイト),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 25pYE-10 収束電子回折法によるPbTiO_3強誘電相の静電ポテンシャル分布解析(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aXA-13 収束電子回折法によるBaTiO_3強誘電相の静電ポテンシャル分布解析II(誘電体(BaTiO_3系),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- Ge濃度を制御したSi_Ge_xの格子定数測定
- 収束電子回折法によるSiの電子密度分布解析
- 24pYK-10 収束電子回折法によるBaTiO_3強誘電相の静電ポテンシャル分布解析(24pYK 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Local lattice parameter determination of a silicon (001) layer grown on a sapphire (1102) substrate using convergent-beam electron diffraction
- 21aYM-13 収束電子回折法によるLa_Sr_Mn_2O_7(x=0.525)の結晶構造の研究(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 収束電子回折法によるLaCrO_3の結晶構造・電子密度分布解析
- 13pTJ-7 収束電子回折法による La_Sr_xCrO_3 (x=0.3) の電子密度分布の解析 II(電子線, 領域 10)
- Formation of a Superlattice Order from a Fundamental-Lattice Decagonal Quasicrystal of Al_Ni_Co_8(Condensed Matter : Structure, Mechanical and Thermal Properties)
- 29pXK-8 チタン酸バリウムの180°分域のコントラストI(誘電体)(領域10)
- 28aXM-8 収束電子回折法による局所歪み測定法の研究IV(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 28aXM-7 収束電子回折法によるLa_Sr_xCrO_3の電子密度分布の解析(X線・粒子線(電子線))(領域10)
- 22aXB-5 収束電子回折法による局所歪み測定法の研究 III
- 22aXB-2 収束電子回折法による結晶構造精密化における構造パラメーターの誤差評価
- 22aXB-1 収束電子回折法による LaMnO_3 軌道秩序相の電子密度分布解析 III
- 22aTK-7 基本格子構造をもつ Al_Ni_Co_8 デカゴナル準結晶からの超格子秩序の形成
- 30pXD-11 収束電子回折法による結晶構造精密化への並列計算の導入
- Morphology Control of Films Formed by Atmospheric-Pressure Chemical Vapor Deposition Using Tetraethylorthosilicate/Ozone System
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