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SORST-JST | 論文
- 25pXL-4 GaAs核スピン高偏極デバイスにおける核四重極相互作用(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pXL-2 ナイトシフトによる2層量子ホール系の電子スピン偏極率測定(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 13aYB-12 分数量子ホールデバイスにおける電子-核スピンを用いたナノ領域での核スピンのコヒーレント制御(半導体スピン物性, 領域 4)
- 20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-4 Cd_6Caの原子クラスターの配向に関する第一原理計算(準結晶(理論,構造),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 28aYC-2 Cd_6Caの秩序-無秩序転移に関する第一原理計算(準結晶(構造・相安定性))(領域6)
- 24pYT-4 自己形成強結合InAsドットにおける電子g因子の測定とフント則の観測(量子ドット・量子細線・局在,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 26pZC-12 量子ドットにおける核四重極相互作用とコヒーレント制御(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 18pRC-2 抵抗検出NMRでみる核スピン間の双極子相互作用によるデコヒーレンス効果(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29aZK-13 2 次元電子ガス系におけるキャリア拡散の磁場中顕微観測
- 20aRF-5 変調ドープGaAs量子構造の磁場中における近接場分光
- 20aRF-5 変調ドープGaAs量子構造の磁場中における近接場分光
- 28p-ZE-1 近接場光学顕微鏡像に対するプローブ内電場分布の影響II
- 27a-YE-9 近接場光学顕微鏡像に対するプローブチップ内電場分布の影響
- 30a-YH-3 近接場光学顕微鏡によるファイバー端面上の薄膜の観測
- 5p-J-7 光ファイバー端面に蒸着された薄膜の近接場光学顕微鏡による観測
- 26pXQ-3 近接場光学顕微鏡によるメサ構造中2次元電子ガス系の観測II(顕微・近接場分光・微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 12pXD-6 近接場光学顕微鏡によるメサ構造中 2 次元電子ガス系の観測(顕微・近接場分光・低次元系, 領域 5)
- 20pTH-12 2 次元電子ガス系に光励起されたキャリアの静電磁場中における移動
- 27pXA-13 低温強磁場近接場光学顕微鏡による変調ドープGaAs量子構造の発光分光
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