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SORST-JST | 論文
- 27pXA-13 低温強磁場近接陽光学顕微鏡による変調ドープGaAs量子構造の発光分光
- 25aN-20 低温強磁場観測を目指した近接場光学顕微鏡の開発
- 24pA-11 近接場光学顕微鏡像における試料誘電率の影響
- 19aWF-6 二重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケードの電気的制御(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pZC-11 GaAs-Al_Ga_AsのAl-NMR(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 13aYB-11 多重パルス列による Ga, As 核スピンの T_2(半導体スピン物性, 領域 4)
- 19pYC-12 多重パルス列によるGa,As核スピンのT_2 II(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pYC-11 多重パルス列による^SiのNMR測定II(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- プローブ陽極酸化による微細加工とその応用 (特集 ナノ加工技術)
- 29pYG-9 GaAs基盤のGa-,As-NMRのスペクトルと緩和時間(量子ホール効果)(領域4)
- 24pYT-2 Spin Blockade in the Cotunneling Regime through a Dobule Quantum Dot
- 21aTA-7 Single-electron transport through single and double silicon quantum dots
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