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Ntt 物性科学基礎研 | 論文
- 21aEH-10 一次元量子スピン系における空間量子コヒーレンスとスピンペア・エンタングルメントとの関係(21aEH 量子論基礎・量子カオス系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- シリコンカーバイド上のグラフェン成長 (特集 材料基礎研究最前線)
- 27pYE-4 SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
- 3p-A-18 AlGaAs/GaAs2次元電子ガスの高磁場高電界における輸送現象
- マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 28aSD-1 エルビウム・ドープ・グラスファイバーの長尺化によって誘起された透明化現象(28aSD 量子エレクトロニクス(量子情報・イオントラップ),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 電子デバイス開発における課題と提言 : 究極の低エネルギーデバイスを目指して( 21世紀に向けた課題と提言 その3「人間の生活革新を支える技術」)
- 結晶成長における表面制御と雰囲気制御のその場観察
- 電子線リソグラフィー法による薄膜型微細加工酸化物触媒の調製とそのキャラクタリゼーション
- 完全表面の創成をめざして : 大阪大学・超精密加工研究拠点(精密工学の最前線)
- 量子情報通信技術が拓く未来
- 24aE-8 ナノスケール磁性ドットアレイの作製と磁気特性
- シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
- 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
- SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討(グラフェンの成長と応用)
- 単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
- 20pZD-3 物質系に転写された光のスクイーズド状態のスピンエンタングルメント : II.緩和の効果(20pZD 量子エレクトロニクス(量子光学,量子通信,量子暗号,デコヒーレンス),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25pRF-7 物質系に転写された光のスクイーズド状態のスピンエンタングルメントの記述(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 異種ポリシラン混合薄膜のエネルギー移動と発光特性(2)
- GaAs(001)表面の仕事関数のMBE成長中測定と解析
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