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Ntt物性科学基礎研究所 | 論文
- MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- 未来を拓く先端技術 シリコン単電子デバイス集積化の最近の展望
- 20aYC-4 シリコン二次元電子系における占有率4の倍数に沿った抵抗のリッジ(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
- 単電子の転送と検出デバイス
- 単電子トランジスタとMOSトランジスタを組み合わせた多値論理ならびに記憶回路
- GaAs(001)表面の仕事関数のMBE成長中測定と解析
- GaAs分子線成長における仕事関数の走査電子顕微鏡によるその場測定
- SEMその場観察によるGaAsMBE成長における穴の異方的挙動と三次元島の優先核形成
- 微小発熱面からの沸騰伝熱に関する研究
- 20pYF-3 半導体量子ドットの近藤効果における電極のスピン蓄積効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aWH-9 量子ドットの近藤効果におけるスピン偏極電流注入効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 網膜-上丘共培養における電気活動の経時変化
- アガロース・マイクロストラクチャを用いた神経細胞ネットワークの段階的構成手法の開発
- 単一分子レベルでのたんぱく質の機能評価
- C-3-117 Si/SiO_2系フォトニック結晶偏光分離素子
- スタジアム形カオス波動場の固有値解析
- 情報技術(IT)を支える超多重スイッチ・超高密度記録デバイス材料の実現に向けて
- ポリ(アルキル-アルコキシフェニルシラン)分子分散、凝集体における円二色誘起、スイッチ、メモリ特性