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Ntt物性研 | 論文
- 24pW-1 GaAs(001)におけるGa成長過程の時間分解内殻光電子分光による解析
- 22aXF-3 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察
- 26aWQ-10 InGaAs量子井戸におけるスピン軌道相互作用の弱反局在とシュブニコフード・ハース振動のビート解析(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 12pWF-4 個々のナノチューブの仕事関数測定(ナノチューブ物性, 領域 7)
- 30aZP-11 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察(2)(ナノチューブ(電子構造・光物性))(領域7)
- 27aWB-8 配向したナノチューブの光電子分光
- 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 2次元フォトニック結晶スラブにおける高透過率高Q共鳴トンネルデバイスとその応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
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- 23aYF-7 単層カーボンナノチューブ束の光電子分光
- 30aPS-18 帯電界面の第一原理計算の為のフェルミエネルギー分割法の開発(2)(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-25 帯電界面の第一原理計算の為のフェルミエネルギー分割法の開発(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-164 フェニルジチオール分子群における帯電効果の普遍性と個別性の検討(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-58 有機分子フェニルジチオールにおける電子 : 格子相互作用の電子状態計算に基づく研究(領域 9)
- SC-4-2 SiフォトニクスにむけたSi系フォトニック結晶
- MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価
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