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Nec 基礎研 | 論文
- 5p-ZA-6 Pb_2Ba_2(Y_Ca_x)Cu_3O_の合成と評価
- 5a-Y-14 Tl系超伝導体における元素置換と構造の関係
- 29a-C-4 Na_xCs_yC_超伝導体の構造と物性
- 単一電源動作CDMA用MMICパワーアンプ
- 7th European Conference on Applied Superconductivity [EUCAS2005]
- 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
- 21aTA-8 グラフェン引き裂きにおける原子スケール端構造の安定性 : 分子動力学シミュレーション(21aTA 領域9,領域7合同 グラフェン・グラファイトの形成と評価II,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ナノ構造技術
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- 27p-ZF-8 可視発光Siの作製と物性 : イオン照射フッ酸処理法と陽極化成法
- 29a-C-5 A_xB_C_の構造
- 3.5V動作高劾率CDMA用MMICパワーアンプ
- マルチターゲットスパッタ法による Pb(Zr,Ti)O_3 強誘電体薄膜の作製とその評価
- 超伝導応用の進展
- 13pWH-6 フッ化フラーレンとシリコン基板表面の電荷移動(FET, 領域 8)
- 14aYD-3 電荷移動ドーピングと点電荷モデルによるシミュレーション(ナノチューブ伝導, 領域 7)
- 13pWH-6 フッ化フラーレンとシリコン基板表面の電荷移動(FET, 領域 7)
- 5p-YE-2 超高エネルギー分解能光電子分光によるTl2201のフェルミ面
- 4a-F-3 Tl_2Ba_2CuO_6の超高エネルギー分解能角度分解光電子分光
- 27a-PS-53 Tl_2Ba_2CuO_6における正方晶と斜方晶構造