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Nec基礎研究所 | 論文
- シリコン融液対流の不安定性(インダストリアルマテリアルズ)
- シリコン融液中における酸素移動現象の磁場印加効果 : 液体物性
- 半導体融液の熱物性定数 : バルク成長シンポジウムII
- 融液対流と結晶中の不純物濃度分分布との相関 : 融液成長(シリコン関連) I
- 融液成長における対流の不安定性(「融液成長における不安定性」)
- 26p-ZF-3 超伝導フラーレン
- 27aYN-6 量子テレポーテーションとデコヒーレンス
- 1a-C-10 Cs_1C_の電子状態
- シリコン液柱における振動マランゴニ対流の観測
- Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nbデバイスの1/fノイズ特性
- Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nbデバイスの1/fノイズ特性
- 超伝導集積回路へのGHzクロック給電のためのマルチバンド整合回路
- 超伝導リングネットワークのためのリンダインターフェーススイッチの動作実験
- オンチップ信号発生回路によるジョセフソン論理回路の高速動作試験
- 26pA-6 実時間位相制御原子ホログラフィー
- 27p-ZF-8 可視発光Siの作製と物性 : イオン照射フッ酸処理法と陽極化成法
- C-8-10 単一磁束量子スローダウンバッファの設計
- C-10-8 FP電極による高出力FETの界面電荷変調
- Electroreflectance法によるGaAs-MIS界面評価
- 変調反射分光法による半導体ドライエッチングダメ-ジの評価 (LSIの評価・解析技術特集) -- (製造プロセス評価解析技術)