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Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部 | 論文
- シングルダマシンCu配線におけるエレクトロマイグレーション誘起ボイドの発生と成長(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- サドンデスTEGとOBIRCHを用いたダマシンCu配線のエレクトロマイグレーション評価
- MIM(Metal-Insulator-Metal)キャパシタを用いた混載DRAMデバイステクノロジー(新メモリ技術とシステムLSI)
- CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発
- ロバストLow-k(k〜2.5)配線の開発指針とインテグレーションによる性能検証(配線・実装技術と関連材料技術)