スポンサーリンク
NTT 物性科学基礎研究所 | 論文
- InAs/GaAs(110)へテロ界面におけるミスフィット転位形成と成長モードの関係
- 2次電子像によるSi(111)表面の(7×7)ドメイン形状観察
- 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
- 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
- EMD2000-45 / CPM2000-60 / OPE2000-57 / LQE2000-51 Ta_2O_5/SiO_2系フォトニック結晶からなる青紫色波長用複屈折素子の作製とその特性
- EMD2000-44 / CPM2000-59 / OPE2000-56 / LQE2000-50 格子変調型フォトニック結晶導波路の解析と作製
- 超高真空SEMによるシリコン表面の動的観察
- Si表面における人工構造物の蒸発による変化
- 24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
- 超高真空走査電子顕微鏡によるSi(111)表面の昇華現象の観察
- 自己組織化によるSiナノ構造のウェ-ハスケ-ル制御
- シリコン表面の原子ステップ配列制御 -ナノ構造の集積化へ向けて-
- 28p-WB-2 半導体表面における昇華過程
- Si表面のステップ配列設計とその応用
- 25a-Y-6 微傾斜Si(111)表面での7x7-(111)テラス形成過程のUHV-SEM観察
- 24p-R-5 Si(111)微斜表面の動力学的考察
- 5P-E-10 Si(111)微斜表面のステップ構造に対する電流効果
- 神経回路網形成期における自発活動遷移課程の解析
- 量子ドットの電気的パルス測定と単一電子ダイナミクス
- 19pYH-5 量子ドットの電荷状態とスピン状態