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NTT物性科学基礎研 | 論文
- 18pYJ-5 半導体人工分子の電子状態と横磁場効果
- 27pTB-4 半導体人工分子の磁場による少数電子の状態遷移
- 25pSA-1 半導体人工分子の磁場による状態遷移
- 29p-F-5 1次元スピン系のNMR緩和率 : 軌道縮退の効果
- 25pK-1 縦型半導体量子ドットにおける近藤効果
- 26pZC-12 量子ドットにおける核四重極相互作用とコヒーレント制御(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 29pYG-8 InAs/GaSbヘテロ構造の量子ホール効果 : 2DEGのQHEとネットキャリアのQHEの交錯(量子ホール効果)(領域4)
- 27aYE-5 量子エラーを含むShorのアルゴリズムのシミュレーション(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 15aTF-5 密度行列繰り込み群による Shor のアルゴリズムのシミュレーション(量子エレクトロニクス, 領域 1)
- 28pXG-5 波動関数のテンソル積分解を用いた量子計算機シミュレータ(量子エレクトロニクス(量子情報理論))(領域1)
- 新規π電子系有機化合物の二光子吸収特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 新規π電子系有機化合物の二光子吸収特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 30aUG-1 レーザー励起X線の物性研究への応用(30aUG 高エネルギー密度状態の科学(X線・凝縮系プラズマ物性),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 25pWS-4 SiC(0001)表面上のエピタキシャルグラフェン島の原子構造と磁気電気効果(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWS-7 Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果V : 低温でのステップ・バンチング消失とmRSOS-I模型の相図(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19aWF-6 二重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケードの電気的制御(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- ナノワイヤの配列制御に向けた触媒金属の表面原子ステップへの配置
- 低速電子顕微鏡によるSi(111)表面での質量輸送の研究
- Si 双晶超格子
- 超高真空SEMによるシリコン表面の動的観察
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