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NTT物性科学基礎研 | 論文
- 21aTA-4 3重量子ドットのStability diagram(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 新規π電子系有機化合物の二光子吸収特性(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 24aE-8 ナノスケール磁性ドットアレイの作製と磁気特性
- シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
- 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
- SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討(グラフェンの成長と応用)
- 18aYJ-9 弱閉じ込め量子ドットの少数電子状態
- 単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析
- 21pTC-14 YVO_3 に対する 1 次元 S=1 スピン軌道モデルの相図
- 29pXG-5 S=1 スピン軌道鎖における量子相転移
- 29pYA-2 長距離相互作用を持つスピン系と結合したスピンキュービットの緩和現象
- 17pRC-8 長距離相互作用のある一次元量子液体における動的応答
- 30aPS-12 準一次元SU(4)スピン-軌道模型の量子相転移II
- 27aYD-9 多成分朝永-Luttinger液体における動的応答
- 23aZ-3 準一次元SU(4)スピン : 軌道模型の量子相転移
- 26pT-16 1次元スピンギャップ系のNMR緩和率 : 軌道縮退の効果
- 24aWH-6 異なるg因子をもつ2重量子ドットにおけるスピン依存共鳴トンネル(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29pXB-6 少数電子ダブルドットの交換結合のゲート電圧及び磁場依存性(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19aWF-7 少数電子ダブルドットのトンネル及び交換結合(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 14pYB-12 人工分子の分子相に対する傾斜磁場効果(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
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