スポンサーリンク
NTT物性科学基礎研 | 論文
- Si表面における人工構造物の蒸発による変化
- 24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
- 超高真空走査電子顕微鏡によるSi(111)表面の昇華現象の観察
- 傾斜濃度法による均一組成In_XGa_As単結晶の育成-地上予備実験-
- 27aZC-6 InAs挿入InGaAs/InAlAsヘテロ構造の磁場中赤外発光スペクトル(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 23aXA-5 半導体微細ロール構造の機械振動における曲率依存性(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 19pYL-4 バリスティックInGaAs-based超伝導弱結合における多重Andreev反射による巨大熱雑音の観測(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 21pWF-2 ゲート電界によるRashbaスピン軌道相互作用の制御(領域4シンポジウム : Rashbaスピン工学に関連する諸問題の現状と展望,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYC-10 局所ホール効果を用いた磁壁速度の測定(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 電界効果スピントランジスタへ向けての現状と問題点(特別ワークショップ : スピンエレクトロニクスとその応用)
- 電界効果スピントランジスタの現状と展望
- 強磁性体/半導体二次元電子ガスハイブリッド構造と電界効果スピントランジスタ
- 27pD-1 InAs-ABリングにおける磁気抵抗振動の局所ゲート電圧依存性
- 26pD-1 微小半導体リング構造のトンネル特性
- 5a-N-4 半導体人工原子の励起状態の単一電子トンネルスペクトロスコピー
- シリコン相補型単電子インバーター : V-PADOX法による作製とその特性評価
- 単電子デバイス用Siナノ構造の酸化
- 27aYS-6 トンネルバリアーを介した強磁性体/半導体接合におけるスピン注入のモデル計算
- 27aYS-5 非弱局在現象を用いたInGaAs/InAlAsヘテロ界面でのスピン物性の解析と外部電場による制御
- 23pSA-2 In_Ga_As/InAlAsヘテロ構造における非局在現象の解析
スポンサーリンク