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NECナノエレクトロニクス研究所 | 論文
- B-10-73 超高速半導体SMZスイッチによる全光640Gbit/s OTDM信号の多重分離(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- C-3-65 シリコン導波路を利用した光合分波器集積デバイス(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-35 シリコン細線型リング共振器を用いた小型省電力波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 29a-ZB-1 IPによるカーボンナノチューブの電子回折図形の評価
- CS-3-3 アクティブMMIによるFTTH用1V駆動レーザー(CS-3. 高機能・低コスト化が進むメトロ・アクセス用光部品の最新動向, エレクトロニクス1)
- 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- マイクロアレイ選択成長を用いた波長選択光源(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]マイクロアレイ選択成長を用いた波長選択光源(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- SC-5-2 対称マッハツェンダー全光スイッチと全光信号処理
- C-3-118 対称マッハツェンダ型全光スイッチの位相バイアス制御方式
- 17pTJ-1 メンブレン構造上の単層カーボンナノチューブの電気伝導
- 28aYX-9 単層カーボンナノチューブにおけるホッピング伝導
- 25aF-11 金超微粒子を用いた単層カーボンナノチューブの炭素不純物除去
- 29p-XA-14 単層カーボンナノチューブ生成における金属の影響
- 26p-YN-1 CO_2レーザー(CW)による室温での単層カーボンナノチューブの生成
- AlGaN/GaN HJFET における低抵抗コンタクト形成とK帯高出力特性
- 分極電荷中和構造を用いた高い閾値制御性を有するAlGaN/GaN HFET
- 動作イメージ課題遂行時の事象関連fMRI
- 動作イメージ時の脳活動計測 : 事象関連電位と事象関連fMRIによる検討
- CS-9-4 InP-MZ変調器集積チューナブルレーザ(CS-9.大容量・高機能光通信時代を拓く集積光デバイス,シンポジウムセッション)
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