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JRCAT-NAIR | 論文
- Si表面のSTMによる観察 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- Atomic Force Microscopy Cantilevers for Sensitive Lateral Force Detection
- 13a-D-9 不純物補償とアンダーソン局在
- ナノテクノロジーの現状と展望
- 産業技術総合研究所におけるナノテク戦略
- SPMによるナノスケール・マニピュレーション (微小物体のマニピュレーション技術)
- セルフアセンブル膜のパターニングと機能評価
- 23pW-4 走査型アトムプローブによるカーボンナノチューブの原子レベルの解析
- 25a-YM-11 STMを用いたSi(111)-1×1:Hからの水素脱離III
- 30p-N-6 高温STMを用いた表面インデンテーションによるシリコンの細線の作成とその電気伝導評価
- STMによる原子細線加工とその物性
- 1p-YA-5 STMによるシリコン原子のレヤーバイレヤー操作と量子コンダクタンス
- Fabrication of GaAs Microtips and Their Application to Spin-Polarized Scanning Tunneling Microscope
- D-4 探針の押し込みによる弾性変形の分子力学シミュレーション(D.超音波基礎・非線形)
- SC-9-6 STMを用いた機能性分子自己組織化膜(SAM)の局所的電気伝導性測定
- Scanning Force Microscopy Studies of Domain Structure in BaTiO_3 Single Crystals
- 23aTD-3 Gold Nanojunctions : Stiffness and Conductance
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- 28pXE-7 水素化Siクラスターの質量選別成長とSi単結晶表面への堆積
- 28p-ZF-5 水素化シリコンクラスターのシリコン表面上への堆積特性