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JRCAT-NAIR | 論文
- 25pYF-12 フラーレンおよびその誘導体の電子線照射による構造変化
- 25aL-8 金属クラスターを凝縮核とする自己形成マスクを用いたナノ構造のエッチング加工
- 27pZ-12 金属原子を内包した水素化Siクラスターの成長
- 28p-ZF-4 水素化金属-シリコンクラスターイオン : MSi_nH_X^+(M=Ta, W, Re)の成長
- 25p-YE-2 水素化Siクラスターイオン:Si_nH_x^+(n>10)の成長
- 2a-T-8 Si(111)劈開面のSTM像と構造モデル
- STMの現状と課題--原子尺度で物質構造を探るSTMの役割 (ナノメ-タの世界)
- Au(111)再配列面上へのCoドット配列の作製と磁性
- Au(111)面上に成長したCo微細構造と磁気光学効果
- 29a-PS-50 Au(111)面上のCoの初期成長過程と磁気光学効果
- 24aY-8 低温STMによるSi(001)上に吸着されたXe原子の観察
- 低温STMの開発
- 24aPS-32 Si(111)-(7×7)表面でのSiH_nCl_吸着におけるCl置換効果
- 超高真空走査トンネル顕微鏡による水素終端シリコン表面の観察
- 25aWB-2 UHV-STMを用いたSi(111)-3/4×3/4:N(quadruplet)表面の構造解析
- 22pT-6 UHV-STMを用いたSi(111)-8x8:N表面の構造解析
- 水素終端シリコン表面の形成
- 2p-YD-13 STMを用いたSi(111)-1×1:Hからの水素脱離II
- 溶液処理を用いたシリコン(001)表面の平坦化
- 水素終端Si (001) 基板上での銅フタロシアニン配向制御