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JRCAT-NAIR | 論文
- 3a-B4-9 STM/STSによる4Hb-TaS2とGICの電子状態解析
- 7a-PS-52 GaAs{111}A, B-(2×2)極性表面上におけるZnSe成長
- 28a-T-4 Te終端GaAs(001)表面上におけるZnSeの成長形態と欠陥生成
- 19pPSB-34 GaAs(001)表面上でのIn_xGa_Asの層状成長
- 24pPSA-15 As分子線照射下におけるGaAs(001)表面構造
- 29a-PS-39 ALE成長中におけるZnSe(001)表面
- 24p-M-5 GaAs中に埋め込まれたSi超薄膜のラマン散乱
- 3a-B4-5 UHV-STMによるSi表面の観察(III)
- 5p-S4-15 STMによる有機超伝導体の観察II
- 6p-A2-5 三重障壁ダイオードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する垂直磁場の効果
- 6p-A2-4 三重障壁ダイ・オードの2つの量子井戸間の電子トンネリングに対する平行磁場の効果
- C-11 走査型トンネル顕微鏡用圧電セラミックス微動機構(圧電材料・振動子)
- 電界イオン顕微鏡を装備した超高真空走査型トンネル顕微鏡の試作とSi(001)表面へのAl吸着初期過程の観察
- 4F202 STMによる液晶観察
- 24a-PS-22 有機物質のSTM測定(VII)
- 5a-PS-8 有機物質のSTM測定(VI)
- 2a-T-9 有機物質のSTM測定 (IV)
- STMによる有機物の研究
- 5a-ZA-12 Bi_2Sr_2CaCu_2O_8におけるBiO面のSTM/TS測定
- STM開発の展望(STM開発の現状と展望)