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Graduate School Of Science Himeji Inst. Of Tech. | 論文
- 22pWA-9 Au/CeO_2触媒の反応ガス中高分解能・環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22pWA-8 CO雰囲気下でのAu/TiO_2触媒の高分解能その場環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22aTD-9 シリコンナノチェイン電気伝導の非ガウスゆらぎ(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
- 触媒研究のための収差補正・環境制御型透過電子顕微鏡の開発 (第107回触媒討論会B講演予稿)
- 電子照射によるシリコンのアモルファス化とその素過程
- 19aTG-7 シリコンにおける照射誘起アモルファス化の温度依存性
- OS4(5)-19(OS04W0319) Measurement of Local Minute Strain by Using Synchrotron X-Ray Microbeam
- Evaluation of Lattice Strain in Silicon Substrate Beneath Aluminum Conductor Film Using High-Resolution X-Ray Microbeam Diffractometry
- Formation of Parallel X-Ray Microbeam and Its Application
- Phase-Contrast X-Ray Imaging Using Both Vertically and Horizontally Expanded Synchrotron Radiation X-Rays with Asymmetric Bragg Reflection
- 31aYG-7 シリコン {113} 面欠陥の plan-view 高分解能電子顕微鏡観察
- 28pXH-5 ZnSeナノワイヤーの結晶成長機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 28pPSB-66 水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程
- 実環境下でのプロセス・特性評価のための収差補正・環境制御型透過電子顕微鏡とその応用 (特集 触媒化学への(S)TEM技術の応用)
- 22pWA-3 CoPtCrB磁性膜中のBサイトの詳価(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20aPS-4 MBE 法による ZnSe ナノホイスカーの成長
- 20pXA-7 金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温 STM 観察
- 自己組織化作用によるシリコン表面ナノ穴形成 (連載技術特集 よく分かるナノテクノロジー(2)ナノ加工)
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