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Fukuoka Institute Of Technology | 論文
- III-V族半導体中に形成された磁気的不純物バンド
- 希薄磁性半導体におけるキャリア状態と強磁性発現機構
- 希薄磁性半導体の状態密度、光学吸収端およびバンド端の磁性イオンモル濃度依存性
- 17aYH-1 磁気的不純物バンドの形成と強磁性の出現
- Exchange-Induced Band Splitting in Diluted Magnetic Semiconductors under a Weak Magnetic Field
- 28aTB-10 希薄磁性半導体におけるp-d交換相互作用の多重散乱の効果
- Quasiparticle Band of Antiferromagnetic Semiconductors -Single-Site Approximation for the s-f Model-
- Successive Magnetic Phase Transitions in RbVBr_3
- 26aB13 ECRスパッタリングプラズマ制御による単結晶薄膜の成長(ヘリカル/プラズマ応用)
- 2p-G-7 Ce_Nd_xAgの磁気相図と磁気構造
- スポーツ選手に対する心理的競技能力のトレーニングに関する研究(2) : 皮膚温バイオフィードバックを利用したリラクセーションのトレーニングについて
- スポーツ選手に対する心理的競技能力のトレーニングに関する研究(1) : イメージ・トレーニングの予備的調査・実験
- III. 話題 : スピン1/2三角格子反強磁性体の基底状態と相転移 (三角格子反強磁性体の相転移と秩序相)
- 2p-Q-3 三角格子強磁性体CsNiCl_3,Cs Co Cl_3の横成分秩序
- 2a-B-10 基底一重項磁性体CsFeCl_3のセントラルピーク
- 2a-B-4 三角格子反強磁性体V_Fe_xCl_2の磁性
- 1a-KM-4 三角格子反強磁性体VBr_2,VCl_2の中性子散乱
- 1a-KM-2 3角格子反強磁性体CsCoCl_3の中性子準弾性散乱
- 13p-U-4 三角格子反強磁性体VBr_2の中性子散乱
- 30a-P-13 三角格子反強磁性体VX_2(X=Cl,Br)の帯磁率