希薄磁性半導体の状態密度、光学吸収端およびバンド端の磁性イオンモル濃度依存性
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概要
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電気電子工学
- 神奈川工科大学の論文
著者
-
高橋 正雄
神奈川工科大学基礎・教養教育センター
-
小瀧 正則
?システムデザイン
-
渋井 貴哲
?サンドラッグ
-
Tokita M
Fukuoka Institute Of Technology
-
Tokita Masahiko
Fac. Of Engineering Fukuoka Inst. Of Technol. Fukuoka 811-0295 Jpn
-
Takahashi M
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
-
高橋 正雄
神奈川工科大
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