高橋 正雄 | 神奈川工科大学基礎・教養教育センター
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概要
関連著者
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高橋 正雄
神奈川工科大学基礎・教養教育センター
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高橋 正雄
神奈川工科大
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Takahashi M
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
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Tokita M
Fukuoka Institute Of Technology
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Tokita Masahiko
Fac. Of Engineering Fukuoka Inst. Of Technol. Fukuoka 811-0295 Jpn
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高橋 正雄
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
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加々美 一志
青学理工
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久保 健
青学理工
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Wolfgang Nolting
Humboldt-Universitat zu Berlin, Institute fur Physik
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Wolfgang Nolting
Humboldt-universitat Zu Berlin Institute Fur Physik
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小瀧 正則
?システムデザイン
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渋井 貴哲
?サンドラッグ
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阿部 俊也
神奈川工科大学応用化学科
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渡部 雅俊
神奈川工科大学応用化学科
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Nolting Wolfgang
Humboldt-Universitat zu Berlin, Institute fur Physik
著作論文
- 磁性半導体中の不純物電子状態
- 19pTA-11 磁性半導体における不純物バンドの形成(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 12pXA-7 動的 CPA から見たキャリア誘起強磁性のメカニスム(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 3)
- 12pXA-7 動的 CPA から見たキャリア誘起強磁性のメカニズム(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 5)
- 12pPSA-1 希薄磁性半導体の電気伝導度(領域 4)
- 27aYA-9 希薄磁性半導体の電気伝導度(磁性半導体)(領域4)
- 21aTH-7 希薄磁性半導体におけるメタ磁性
- 31pYH-8 キャリア誘起強磁性のキュリー温度の限界
- III-V族半導体中に形成された磁気的不純物バンド
- 希薄磁性半導体の状態密度、光学吸収端およびバンド端の磁性イオンモル濃度依存性
- Dynamical coherent potential approach for the s-f model in antiferromagnetic semiconductors
- 17aYH-1 磁気的不純物バンドの形成と強磁性の出現
- 28aTB-10 希薄磁性半導体におけるp-d交換相互作用の多重散乱の効果
- Quasiparticle Band of Antiferromagnetic Semiconductors -Single-Site Approximation for the s-f Model-
- 26aWQ-1 Gd-doped EuOの伝導電子状態と強磁性(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 虹の輪の中に