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Department Of Electronics And Information Systems Osaka University | 論文
- TDCを用いたオーディオ用ADコンバータの設計検討
- 自己発熱効果がナノスケールトランジスタの電気特性に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 空間的または時間的に一様でない系におけるトンネリングのシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 量子格子気体法によるデバイス内部の電子波伝搬解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 非線形パルス幅変調を用いたTDC-ADCの構成と歪み補正手法の提案
- 二重フィードバックを用いスピーカインピーダンスの影響を低減したオーディオ用D級アンプの設計/評価
- Fine adhesion patterning and aligned nuclei orientation of mesenchymal stem cell on narrow line-width of silicone rubber implanted by carbon negative ions (第50回真空に関する連合講演会プロシーディングス)
- 表面ポテンシャルを用いた薄膜トランジスタのドレイン電流モデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ひずみSi-p型電界効果トランジスタのホール伝導特性に関する理論計算
- C-9-3 SoG液晶モジュール用アナログバッファ回路に関する研究(C-9. 電子ディスプレイ,一般セッション)
- Poly-Si TFTにおける容量 : 電圧特性のシミュレーションによる解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 数値シミュレーションに基づく10nmチャネル素子の電気伝導機構に関する考察(半導体Si及び関連材料・評価)
- ひずみSi pMOSFETsにおける移動度増大率の計算 : 1軸と2軸応力の比較について(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 15nm以上の膜厚を有するシリコン酸化膜の絶縁破壊統計性(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 分子動力学/アンサンブルモンテカルロ法による極微細n-i-nダイオードの電流解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- P-36 大阪大学における社会人専門教育プログラム : エレクトロニクス産業を支える高度専門技術者の育成((25)高度専門技術者教育、社会人のための大学院工学教育,ポスター発表論文)
- 酸化膜絶縁破壊がMOSFETチャネル電流に与える影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 同相除去比を強化した増幅器