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高松工専 | 論文
- スパッタ法によるInN薄膜-水素添加の影響-
- マグネトロンスパッタ法によるInN薄膜の作成と特性
- Heを導入したスパッタ法によるa-SiC:H薄膜の微結晶化
- 二酸化炭素とメタンを用いたマグネトロンスパッタ法によって作製した a-SiC:O:H 薄膜の特性
- 三元系水素化アモルファス薄膜a-SiCO:Hの作成と特性
- スパッタ法によるアモルファスGeCO:H薄膜
- 基準振動による炭化ケイ素膜の構造解析
- 反応性スパッタ法による酸素添加a-GeC : H薄膜
- プラズマ化学気相成長法によるB(C,N)薄膜の機械的強度
- Co-sputter法によるGe添加a-Si_xC_y:H薄膜の特性
- プラズマ化学気相成長法による窒素添加a-SiGe:H膜
- Fabrication and Mechanical Properties of Boron-Carbon-Nitrogen Film by Chemical Vapour Deposition
- 高周波プラズマ反応蒸着によるGeSe_2 : H薄膜の電気・光学特性
- 高周波プラズマ活性化蒸着によるGeSe^2:H薄膜の電気・光学特性-高周波電力依存性-
- 高周波プラズマ活性化蒸着によるGeSe_2:H薄膜の電気・光学特性
- アンモニアとメタンを用いたマグネトロンスパッタ法によって作製したa-SiC:N:H薄膜の特性
- 電子ビーム蒸着によるGeSe:Bi_x薄膜の電気・光学特性
- 高周波スパッタ法によるゲルマニウム-炭素系非晶質薄膜
- 反応性プラズマアシスト蒸着による a-Ge_Se_x:H 薄膜の電気的光学的特性
- PREPARATION AND MECHANICAL CHARACTERIZATION OF B(C,N) COATING ON GRAPHITE BYCHEMICAL VAPOR DEPOSITION