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静岡大学電子工学研究所技術部 | 論文
- 分光エリプソメトリによるフラーレン結晶の評価
- 5-5 平面状電子源の検討(II)
- 5-2 平面状電子源の検討
- a-SiC : H膜の高精細撮像デバイスへの応用
- 分光エリプソメトリによるエピタキシャルZnO層の光学的特性(ドーピング効果)
- 低誘電率(low-k)層間絶縁膜の光学特性
- 分光エリプソメトリによるエピタキシャルZnO層の光学的特性(ドーピング効果)
- 分光エリプソメトリによるSi基板の温度と表面層厚さのその場計測
- EPMA装置の性能比較
- 技術部研修報告 : 浜松キャンパス
- 極端紫外光実験施設(UVSOR、岡崎分子科学研究所)の利用報告
- サファイア基板上のエピタキシャルZnO薄膜の分光エリプソメトリ
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- 二重変調方式による高性能光半導体解析システムの紹介
- InAs基板上の液相エピタキシャルGa_1-xIn_xAs_1-ySb_y層の光学的性質
- GaP基板上へのInPおよびGaInP混晶の液相成長 : 半導体液相成長II
- GaP(lll)基板上にLPE成長したGaAs層における双晶発生条件 : 薄膜成長I
- InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長
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- LPE GaAs on GaPのGaAsPへの変換(II)