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静岡大学電子工学研究所技術部 | 論文
- 高品質GaInAsSb/InAsの液相成長
- 網膜の機能を組み込んだ画像入力デバイスの検討
- 平成13年度 東海・北陸地区国立学校等技術専門職員研修 : 物理・化学コース
- 平成17年度東海・北陸地区国立大学法人等技術専門職員研修 : 情報処理コース
- 「高柳記念未来技術創造館」展示物の製作記
- 硫黄不活性化処理による室温動作InAsPSb/InAs中赤外光検出器の感度向上
- 高圧ガスの法規と資格
- LPE成長n-GaP on p-GaAsヘテロ接合のアドミタンス測定による評価
- 非晶質シリコンを用いた高精細撮像デバイス
- 2-3 a-Si : Hの軟X線撮像デバイスへの応用
- 1)液相成長による(InGa)P-GaAsヘテロ接合の特性(第49回 テレビジョン電子装置研究会第7回 画像表示研究会 合同研究会)
- GaP on GaAs液相エピタキシャル成長(第二報) : p-nヘテロ接合
- 室温動作高感度InAs/InAsPSb中赤外光検出器
- SiC表面分解法によるカーボンナノチューブの生成初期過程
- LPE成長InGaP-GaAlPヘテロ接合とNEA冷陰極への応用
- 温度差液相エピタキシャル法によるGaP p-n接合の成長
- 4-4 GaP NEA素子の寿命試験
- 4-3 温度差液相成長法によるNEA-GaP冷陰極素子
- プラズマCVD法によるSi-N:H膜成長
- 分光エリプソメトリによるフラーレン結晶の評価