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静岡大学電子工学研究所技術部 | 論文
- 非晶質材料のモデル誘電率関数
- 組成変換法によるGaP基板上へのGaN層の形成
- 組成変換法によるGaInPおよびGaInAs混晶の成長
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶の液相成長
- GaP基板上へのGalnP混晶のLPE成長と計算機シミュレーション
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶のLPE成長
- 組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶のLPE成長
- 組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの成長
- In溶液からのCuGaSe_2バルク結晶の成長
- 高安定長寿命のNEA GaP-GaAlP冷陰極
- 7)NEAGaP冷陰極(テレビジョン電子装置研究会(第85回))
- NEA GaP冷陰極(カソードの最近の進歩)
- 9)GaP系冷陰極のライフテスト(〔テレビジョン電子装置研究会(第80回)画像表示研究会(第37回)〕合同)
- GaP系冷陰極のライフテスト
- 19)GaP系NEA冷陰極(テレビジョン電子装置研究会(第78回)画像表示研究会(第34回))
- 2-3 GaPによるNEA冷陰極
- 29aA7 GaAs on GaP LPE成長層の熱処理によるGaAsP混晶への変換(融液成長IV)
- InAs基板上に成長させたGaInAsSbのキャリア移動度の評価法