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静岡大学工学部電気電子工学科 | 論文

• HWE法によるAlN/GaN短周期超格子の作製と評価
• フーリエ記述子を用いた部分検索が可能なスケッチ画像検索(研究速報)
• 白金担持TiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 白金担持TiO2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 白金担持TiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 異常グロー放電を用いたkeV領域X線源
• 超音波による懸濁気泡塔内の流動解析
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 多目的遺伝的アルゴリズムを用いたダイバーシチアンテナの設計と試作評価
• 免震エコハウスにおける温湿度と創・消費エネルギー量の5年間の計測結果
• InGaNバッファ層を用いたGaAs(100)基板上InGaN成長
• MOCVD法によるGaAsオフ基板上へのInGaAs成長
• MOCVD法によるGaAsオフ基板上へのInGaAs成長
• MOCVD法によるGaAsオフ基板上へのInGaAs成長
• GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
• GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
• 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 低圧配電システム雷過電圧調査専門委員会

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