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静岡大学工学部電気・電子工学科 | 論文
- 直流回路におけるAg接点対間で発生する開離時アークの継続時間に対する横磁界の影響 (機構デバイス)
- 片持ち梁支持片の先端に取り付けた電気接点対におけるワイピング動作中のチャッタと転移突起との関係(機構デバイス)
- 直流20-500V/5-30A回路における開離時アークの諸特性(放電・EMC/一般)
- 声道の3次元的形状の音響的影響の有限要素法による解析
- 声道の音響管モデルにおける鼻腔と口腔の結合の強さに関する検討
- 声道の音響管モデルの3次元有限要素法によるシミュレーション : 曲がり, 分岐, 及び断面形状の効果
- 自己混合型半導体レーザ振動計及び距離速度計とその応用
- The 22^ International Conference on Electrical Contacts(第22回電気接点国際会議)Together with The 50^ IEEE Holm Conference on Electrical Contacts概要報告(その2)
- The 22^ International Conference on Electrical Contacts(第22回電気接点国際会議)Together with The 50^ IEEE Holm Conference on Electrical Contacts : 概容報告(その1)
- SC-3-2 DC 42V-7Ωと 5Ω抵抗性回路を開閉するリレー搭載 AgNi10% 電気接点対での転移突起観察
- C-5-1 DC42V-6A 抵抗性回路内の継電器搭載 Pd 電気接点での転移方向
- 42V-5Ω及び7Ω回路内におけるAgCdO12wt%開閉電気接点対の転移突起に関する比較研究(機構デバイスの信頼性,信頼性一般)
- MOCVD法GaN成長におけるバッファ層アニールの影響 : 気相成長IV
- MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
- (0001)Al_2O_3基板上GaN成長層の極性に対する初期成長条件の影響
- MOCVD法によるGaN成長におけるバッファ層堆積条件の検討
- 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 400V直流給電システム用コンセントバーと電源プラグの開発について
- 逆転磁場ピンチプラズマにおけるイオンエネルギースペクトルの時間発展計測