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金沢工業大学 ものづくり研究所 | 論文
- 非c面(Al)InGaN混晶基板上InGaN量子井戸の偏光特性の理論予測(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体量子井戸の偏光特性
- INSS 2008 (Fifth International Conference on Networked Sensing Systems)
- 窒化物半導体量子井戸の偏光特性の基板面方位依存性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 特集号の企画に当たって
- 非c面(Al)InGaN混晶基板上InGaN量子井戸の偏光特性の理論予測(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 非c面(Al)InGaN混晶基板上InGaN量子井戸の偏光特性の理論予測(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体量子井戸の偏光特性の基板面方位依存性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体量子井戸の偏光特性の基板面方位依存性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 企業の研究者から見たSICE
- 溶剤による化学増幅ネガ型ノボラックレジストの除去
- ハイドライド気相成長法による高品質GaN結晶の育成
- 顕微反射スペクトル測定によるGaN基板残留歪みの精密マッピング測定(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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- 顕微反射スペクトル測定によるGaN基板残留歪みの精密マッピング測定(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 顕微反射スペクトル測定によるGaN基板残留歪みの精密マッピング測定
- 顕微反射スペクトル測定によるGaN基板残留歪みの精密マッピング測定
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