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超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP) | 論文
- LSIやメモリの高集積化を目指すナノカーボン配線技術
- NDNC 2008
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX(SOTB)MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき (シリコン材料・デバイス)
- 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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- ナノカーボン配線 : 微細金属配線代替を目指して(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減 (集積回路)
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- ナノカーボン配線 : 微細金属配線代替を目指して
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